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在不同的实施例中，形成具有较高紫外光透明度和低缺陷密度的单晶氮化铝晶锭及衬底。所述单晶氮化铝可作为制作发光器件，如发光二极管和激光器的平台。...
该专利属于晶化成半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶化成半导体公司授权不得商用。

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