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本发明涉及半导体激光器的技术领域，尤其涉及一种1.55微米波长硅基量子点激光器外延材料及制备方法，其不同之处在于，包括以下步骤：步骤101：在单晶硅衬底上制备条形图形掩膜；步骤102：刻蚀V型槽窗口；步骤103：在所述V型槽窗口区中选区生长...
该专利属于江苏华兴激光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏华兴激光科技有限公司授权不得商用。

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