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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底上形成有多个分立的初始鳍部，初始鳍部具有第一导热系数；在初始鳍部露出的衬底上形成隔离材料层，隔离材料层覆盖初始鳍部的侧壁；去除部分厚度初始鳍部，在隔离材料层内形成沟槽，且剩余初始鳍部作...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。