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本申请涉及一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法，包括：提供衬底，于所述衬底内形成沟槽；于所述沟槽内形成介质层及源极多晶硅层；所述源极多晶硅层的上表面低于所述沟槽的顶面，所述介质层位于所述源极多晶硅层与所述衬底之间，且所述介质层的上表面低于所述...
该专利属于中芯集成电路制造(绍兴)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯集成电路制造(绍兴)有限公司授权不得商用。

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