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宽禁带MOSFET管驱动电路制造技术
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文档序号:25485458
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本发明涉及MOS管驱动领域,尤其涉及宽禁带MOSFET管驱动电路,包括:信号生成模块,用于利用多组重构脉冲信号,对输入PWM信号边缘进行重构,生成边缘具有台阶波形的PWM信号;信号处理模块,用于将生成的PWM信号处理为宽禁带MOSFET管的...
该专利属于武汉理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过武汉理工大学授权不得商用。
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