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本发明题为“垂直自旋转移矩MRAM存储器单元”。本发明公开了一种垂直自旋转移矩MRAM存储器单元，其包括磁隧道结，该磁隧道结包括自由层、钉扎层以及自由层和钉扎层之间的隧道势垒。自由层包括垂直于自由层的平面的可切换磁化方向。邻近磁隧道结提供覆...
该专利属于桑迪士克科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克科技有限责任公司授权不得商用。

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