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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供鳍部和位于所述鳍部上的沟道叠层，沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层，靠近鳍部一侧的部分沟道层作为第一沟道层，位于第一沟道层上的剩余沟道层作为第二沟道层；形成多个横跨沟道叠层的伪栅结构；在伪...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。