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本发明公开了一种场效应管的形成方法,包括提供半导体衬底,在半导体衬底上形成鳍部、栅极、源极和漏极,并在衬底上形成浅沟槽隔离层;在浅沟槽隔离层上沉积厚度均匀的牺牲材料层;刻蚀去除覆盖栅极、源极和漏极顶部的牺牲材料层;去除源极、栅极、漏极周侧的...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。