温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体结构的制造方法，包括在前端器件层上形成目标刻蚀层，在目标刻蚀层上形成由非定形碳层、抗反射介电层及光刻胶层组成的硬掩模叠层，然后图案化硬掩模叠层以定义沟槽图案，以刻蚀目标刻蚀层形成沟槽，使沟槽与所述前端器件层连接。本发明采...
该专利属于合肥晶合集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。