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本发明提供了一种提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，包括如下步骤：A、将衬底清洗后，放入原子层沉积的反应腔；B、将第一反应前驱体通入反应腔，在衬底上形成单分子层；C、将第二反应前驱体通入反应腔，与単分子层反应形成高介电栅介质层；D、重复...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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