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本发明提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：基板、第一导电型阱、第二导电型埋层、第一第二导电型阱、第一第二导电型掺杂区、第二第二导电型阱以及第二第二导电型掺杂区。第一导电型阱设置于基板上。第二导电型埋层设置于第一导电型阱内，且与...
该专利属于新唐科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新唐科技股份有限公司授权不得商用。

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