半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：基板、第一导电型阱、第二导电型埋层、第一第二导电型阱、第一第二导电型掺杂区、第二第二导电型阱以及第二第二导电型掺杂区。第一导电型阱设置于基板上。第二导电型埋层设置于第一导电型阱内，且与基板距离第一既定距离。第一第二导电型阱设置于第一导电型阱内且位于第二导电型埋层之上，并连接至第二导电型埋层。第一第二导电型掺杂区设置于第一第二导电型阱内。第二第二导电型阱设置于第一导电型阱内以及第二导电型埋层的上方，并与第二导电型埋层距离第二既定距离。第二第二导电型掺杂区设置于第二第二导电型阱内。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本专利技术是有关于一种半导体结构，特别是有关于一种具有高电流且低夹断电压的结场效应晶体管的半导体结构及其制造方法。
技术介绍
在半导体产业中，场效应晶体管(fieldeffecttransistors，FETs)有两个主要类型，即绝缘门场效应晶体管(insulatedgatefieldeffecttransistor，IGFET)，通常称为金属氧化物半导体场效应晶体管(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor，MOSFET)，和结场效应晶体管(junctionfieldeffecttransistor，JFET)。金属氧化物半导体场效应晶体管和结场效应晶体管的结构配置基本上并不相同。举例来说，金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极包含绝缘层，亦即栅极氧化层，在栅极和晶体管的其他电极之间。因此，通过穿过沟道的电场控制在金属氧化物半导体场效应晶体管内的沟道电流，以视需求使沟道区增强和耗尽(deplete)。结场效应晶体管的栅极与晶体管的其他电极形成P-N结(P-Njunction)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n一基板；/n一第一导电型阱，设置于所述基板内；/n一第二导电型埋层，设置于所述第一导电型阱内，且与所述基板距离一第一既定距离；/n一第一第二导电型阱，设置于所述第一导电型阱内且位于所述第二导电型埋层之上，并连接至所述第二导电型埋层；/n一第一第二导电型掺杂区，设置于所述第一第二导电型阱内；/n一第二第二导电型阱，设置于所述第一导电型阱内以及所述第二导电型埋层的上方，并与所述第二导电型埋层距离一第二既定距离；以及/n一第二第二导电型掺杂区，设置于所述第二第二导电型阱内。/n

【技术特征摘要】
20190220 TW 1081055131.一种半导体结构，其特征在于，包括：
一基板；
一第一导电型阱，设置于所述基板内；
一第二导电型埋层，设置于所述第一导电型阱内，且与所述基板距离一第一既定距离；
一第一第二导电型阱，设置于所述第一导电型阱内且位于所述第二导电型埋层之上，并连接至所述第二导电型埋层；
一第一第二导电型掺杂区，设置于所述第一第二导电型阱内；
一第二第二导电型阱，设置于所述第一导电型阱内以及所述第二导电型埋层的上方，并与所述第二导电型埋层距离一第二既定距离；以及
一第二第二导电型掺杂区，设置于所述第二第二导电型阱内。


2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，更包括：
一第一第一导电型掺杂区，设置于所述第一导电型阱内，且位于所述第一第二导电型阱以及所述第二第二导电型阱之间；
一第二第一导电型掺杂区，设置于所述第一导电型阱内，其中所述第一第一导电型掺杂区以及所述第二第一导电型掺杂区分别设置于所述第二第二导电型阱的两侧；以及
一第三第一导电型掺杂区，设置于所述第一导电型阱内，其中所述第一第一导电型掺杂区以及所述第三第一导电型掺杂区分别设置于所述第一第二导电型阱的两侧。


3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一第二导电型掺杂区以及所述第二第二导电型掺杂区连接至一第一电极，其中所述第一第一导电型掺杂区以及所述第三第一导电型掺杂区连接至一第二电极，其中所述第二第一导电型掺杂区连接至一第三电极。


4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为一第一导电型结场效应晶体管，其中所述第一电极为一栅极端，所述第二电极为一源极端，所述第三电极为一漏极端。


5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二第二导电型阱具有一有效长度，其中所述第二第二导电型阱至少一半所述有效长度与所述第二导电型埋层相重叠。

【专利技术属性】
技术研发人员：韦维克，席德·内亚兹·依曼，陈柏安，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71