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本发明提供了一种标准MOS工艺下提升差分输入对管性能的方法，本方法实现了在不增大版图面积的前提下，尽可能减少MOS管漏极的寄生电容，将MOS管的栅分解成阵列结构，栅极使用圆形画法，将漏极包围，并压缩漏极到工艺允许最小尺寸，此时栅极外侧为源极...
该专利属于赛卓电子科技(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过赛卓电子科技(上海)有限公司授权不得商用。

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