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本发明提供了一种半导体器件的制造方法，具体包括：提供衬底，上述衬底上形成有对应于密集区晶体管的第一栅极结构和对应于空旷区晶体管的第二栅极结构，上述第一栅极结构高于上述第二栅极结构；在上述第二栅极结构的上方形成缓冲层，上述缓冲层的上表面与上述...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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