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本发明公开了一种提高SMR器件的回波损耗和Q值的方法，通过改变磁控溅射功率密度实现布拉格层中高声阻抗层钨薄膜的相变，从而提高钨薄膜的声阻抗，进而提高布拉格层反射器的声波反射率的方法；除此之外，钨薄膜的相变改变了布拉格层中的应力水平，经过应力...
该专利属于上海大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海大学授权不得商用。

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