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本发明为一种基于极化效应的AlGaN‑MSM探测器结构及其制备方法。一种基于极化效应的AlGaN‑MSM探测器结构，其沿着外延生长方向依次包括：衬底101、缓冲层102、吸收层103；吸收层以上的部分为以下两种形式之一：第一种为：吸收层的一...
该专利属于河北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过河北工业大学授权不得商用。

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