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本发明公开了一种基于HSQ的电子束光刻制备套刻标记的方法，属于光电子技术领域，其特征在于，至少包括如下步骤：S1、对晶圆进行脱水烘焙；S2、在晶圆上旋涂HSQ光刻胶后进行前烘；S3、电子束曝光；利用HSQ为负性光刻胶的特性，绘制mark曝光...
该专利属于天津华慧芯科技集团有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津华慧芯科技集团有限公司授权不得商用。

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