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本实用新型公开了一种氮化镓基肖特基二极管，涉及半导体技术领域，该新型结构的氮化镓基肖特基二极管包括衬底及其上的N+氮化镓外延层，N+氮化镓外延层上制作有呈间隔结构的N‑GaN外延层，N‑GaN外延层上制作有P‑GaN外延层，P‑GaN外延层...
该专利属于江苏丽隽功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏丽隽功率半导体有限公司授权不得商用。

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