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DDR芯片供电电路的余电泄放电路制造技术
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文档序号:25314201
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本发明的目的是提供一种DDR芯片供电电路的余电泄放电路,Q12组成的开关电路对VCC 5V进行泄放,当基极高电平时Q12饱和导通,相当于在U6的输入端串联了R347(100R)到地,U6的输入端电容则通过R347迅速放电,能够可靠的泄放掉残...
该专利属于芜湖宏景电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过芜湖宏景电子股份有限公司授权不得商用。
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