DDR芯片供电电路的余电泄放电路制造技术

本发明专利技术的目的是提供一种DDR芯片供电电路的余电泄放电路，Q12组成的开关电路对VCC 5V进行泄放，当基极高电平时Q12饱和导通，相当于在U6的输入端串联了R347（100R）到地，U6的输入端电容则通过R347迅速放电，能够可靠的泄放掉残电，使系统启动可靠。该电路成本低廉，效果好，具有可推广性。

【技术实现步骤摘要】
DDR芯片供电电路的余电泄放电路
本专利技术涉及DDR芯片供电电路领域，尤其涉及一种DDR芯片供电电路的余电泄放电路。
技术介绍
在给DDR芯片供电的电路中由于DC-DC芯片输入、输出端都有较大的滤波电容，往往在断电之后相当一段时间内仍然还有残余的电量，会造成复位不良，不能正常开机。如图2所示：该电路是DDR3芯片的供电电路，输入为5V电压，输出为1.5V。U6起到电压降压转换的作用。需要解决断电后残余电量迅速泄放的问题。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种DDR芯片供电电路的余电泄放电路，Q12组成的开关电路对VCC5V进行泄放，当基极高电平时Q12饱和导通，相当于在U6的输入端串联了R347（100R）到地，U6的输入端电容则通过R347迅速放电，解决了
技术介绍
中出现的问题。本专利技术的目的是提供一种DDR芯片供电电路的余电泄放电路，包括有VCC5V电源输入端，VCC5V电源输入端串联有R347，R347串联有Q12，Q12串联有R253，R253连接在MCU的PF3#上；Q12还串联有R2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种DDR芯片供电电路的余电泄放电路，其特征在于：包括有VCC 5V电源输入端，VCC5V电源输入端串联有R347，R347串联有Q12，Q12串联有R253，R253连接在MCU的PF3#上；Q12还串联有R254和C125，R254和C125两者并联；所述VCC 5V电源输入端串联U6，VCC 5V电源输入端输入的5V电压经过U6电压降压转换作用输出为1.5V；Q12、R254和C125三者均接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种DDR芯片供电电路的余电泄放电路，其特征在于：包括有VCC5V电源输入端，VCC5V电源输入端串联有R347，R347串联有Q12，Q12串联有R253，R253连接在MCU的PF3#上；Q12还串联有R254和C125，R254和C125两者并联；所述VCC5V电源输入端串联U6，VCC5V电源输入端输入的5V电压经过U6电压降压转换作用输出为1.5V；Q12、R254和C1...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵新华，郭旭，胡旻韬，付聪，蔡宏，田学林，孔令宏，
申请(专利权)人：芜湖宏景电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34