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实施方式的半导体存储装置包含积层部、柱、以及第1及第2接点。积层部设置在第1区域与第2区域，且包含多个第1导电体层、多个第2导电体层、及第1绝缘体层。第1绝缘体层设置在最上层的第1导电体层与最下层的第2导电体层之间。柱在第1区域内贯通多个第...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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