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本文中描述了一种集成电路，其包括：半导体衬底，包括p掺杂区域和n掺杂区域；第一晶体管，包括设置在所述半导体衬底的所述p掺杂区域中的n+掺杂源极区域；第二晶体管，包括设置在所述半导体衬底的所述n掺杂区域中的p+掺杂源极区域，所述p+掺杂源极区...
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