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本发明提供了一种碳化硅单晶体生长装置及其方法，包括反应装置组件、提升装置组件和气压控制组件，在气压控制组件内设置调节装置组件，第一气泵将惰性气体充入储气瓶，第三感应线圈对惰性气体进行加热，开启第一控制阀将储气瓶内加热的惰性气体输入到装置内部...
该专利属于青岛佳恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛佳恩半导体有限公司授权不得商用。

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