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一种耐高压隔离式霍尔效应位移传感器，它包括有装在非导磁体密封隔离套内的导磁体滑动芯棒，隔离套上装有二块导磁体，在二块导磁体形成的间隙内，左、右分别安装磁钢和霍尔元件、放大器电路板，芯棒在封闭式的隔离套内作轴向运动，改变霍尔元件表面磁感应强度...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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