【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及一种能直接测量位移的可变磁阻传感器。在国内外现有
中，同类型位移传感器有耐高压差动变压器式位移传感器和滑杆式位移传感器。耐高压差动变压器式位移传感器，其密封性能虽好，但其体积大，制造工艺复杂，后处理电路复杂，制造调试较为困难；滑杆式位移传感器虽结构简单，无需后处理电路，但因存在摩擦，触点和碳膜片寿命较短，故可靠性差，而且由于引线和密封问题较难解决，因此该传感器在重要场合使用以及使用频繁的场合必须定期进行更换。本技术的目的在于，采用导磁体芯棒在封闭式外导磁体隔离罩内作轴向运动，从而改变线性霍尔电路表面的磁感应强度来测量位移，解决在高压、大位移环境下，具有高频响、高精度、结构简单，克服现有技术中存在的问题。为了达到上述目的，本技术采用的技术方案是，它有装在非导磁体密封隔离套内的导磁体滑动芯棒，在非导磁体外壳内的隔离套上装有二块导磁体，在二块导磁体下端形成的间隙内，左、右分别装有磁钢和霍尔元件、放大器电路。测量位移时，导磁体滑动芯棒在封闭式非导磁体隔离套内作轴向移动，从而改变线性霍尔元件表面磁感应强度，霍尔元件输出电压的变化量与表面磁感应强度变化量...
【技术保护点】
一种耐高压隔离式霍尔效应位移传感器，本实用新型的特征是，它包括装在非导磁隔离套［２］内的导磁体滑动芯棒［１］，在非导磁体外壳［４］内的隔离套［２］上装有二块导磁体［６］，在二块导磁体［６］下端形成的间隙内，左、右分别装有磁钢［５］和霍尔元件、放大器电路。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵国军，杨华勇，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：实用新型
国别省市：33[中国|浙江]
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