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本发明提供了一种减少晶圆厚度的方法，包括以下步骤：(1)提供待减薄的半导体晶圆；(2)在砂轮转速3000～5000rmp下，对所述晶圆进行粗磨；(3)在砂轮转速3000～5000rmp下，对所述粗磨后的晶圆进行精磨，所述精磨的砂轮转速大于所...
该专利属于东莞新科技术研究开发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞新科技术研究开发有限公司授权不得商用。

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