温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

在真空腔室中进行制造的方法。方法包括：将晶片部署在真空腔室内；在真空腔室中的晶片之上的第一位置中施加掩模；之后，执行第一制造步骤，第一制造步骤包括在真空腔室中处于真空时，穿过掩模将材料投射到晶片上；然后操作被部署在真空腔室内的掩模处理机构，...
该专利属于微软技术许可有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过微软技术许可有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。