【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用通过被定位的阴影掩模进行气相沉积的制造工艺
技术介绍
在诸如半导体裸片、量子计算设备和光学波导结构的微米级和纳米级设备的制造中，这通常将涉及通过以不同图案在衬底上沉积多层材料来构建晶片。随着不同的层被构建，整个过程将涉及多个步骤。尽管术语在本领域中并不总是一致地使用，但是出于当前的目的，本文中将采用“衬底”来指代基层，并且“晶片”将指代衬底加上在制造工艺的当前阶段已经被沉积在衬底之上的任何其他层。例如，在传统半导体器件的制造中，衬底包括诸如硅的半导体，其具有不同掺杂的n型区域和p型区域。然后，在任何给定的后续层处沉积的材料可以例如是导体、半导体的另外的层或电介质或其他绝缘体(通常在不同的相应层上沉积不同种类的材料)。在制造诸如量子计算设备的量子电子设备的情况下，衬底可以是半导体或绝缘体，并且所沉积的材料可以是导体、绝缘体、半导体和/或超导体。例如，作为量子电路的基础，在绝缘衬底之上形成半导体线，然后在半导体线之上形成超导体的涂层，以形成半导体-超导体纳米线的网络。真空沉积指代在真空腔室内处于真空时，将材料的层沉积到衬底上的制造技术。材...
【技术保护点】
1.一种在真空腔室中制造设备的至少一部分的方法，所述方法包括：/n将晶片部署在所述真空腔室内；/n在所述真空腔室中的所述晶片之上的第一位置中施加掩模；/n在所述掩模的所述施加之后，在所述掩模处于所述第一位置的情况下，执行第一制造步骤，所述第一制造步骤包括：在所述真空腔室中处于真空时，穿过所述掩模中的图案化开口将材料投射到所述晶片上；/n在所述第一制造步骤之后，操作被部署在所述真空腔室内的掩模处理机构，以便在所述真空腔室保持处于真空时，将所述掩模重新定位到第二位置，其中所述重新定位包括：从感测所述掩模的当前位置的一个或多个传感器接收读数，并且基于所述读数将所述掩模的所述当前位...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在真空腔室中制造设备的至少一部分的方法，所述方法包括：
将晶片部署在所述真空腔室内；
在所述真空腔室中的所述晶片之上的第一位置中施加掩模；
在所述掩模的所述施加之后，在所述掩模处于所述第一位置的情况下，执行第一制造步骤，所述第一制造步骤包括：在所述真空腔室中处于真空时，穿过所述掩模中的图案化开口将材料投射到所述晶片上；
在所述第一制造步骤之后，操作被部署在所述真空腔室内的掩模处理机构，以便在所述真空腔室保持处于真空时，将所述掩模重新定位到第二位置，其中所述重新定位包括：从感测所述掩模的当前位置的一个或多个传感器接收读数，并且基于所述读数将所述掩模的所述当前位置与所述第二位置对准；以及
在所述重新定位之后，在所述掩模现在处于所述第二位置的情况下，执行第二制造步骤，所述第二制造步骤包括：在所述真空腔室中仍然维持所述真空时，穿过经重新定位的所述掩模中的图案化开口将材料投射到所述晶片上。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述重新定位包括：将所述传感器读数反馈回计算机系统，所述计算机系统被布置成控制所述掩模处理机构，以及操作所述计算机系统以基于所述传感器读数自动执行所述对准。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述对准中使用的所述一个或多个传感器包括至少一个或多个光学传感器。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述晶片形成平面，并且所述重新定位包括：在平行于所述晶片的所述平面的横向方向上重新定位所述掩模，所述第二位置在所述横向方向上从所述第一位置偏移。
5.根据权利要求4所述的方法，其中：
所述掩模包括在所述晶片的所述平面中的不同横向位置处的第一制造图案和第二制造图案；
在所述第一位置中，所述第一制造图案在所述晶片上的感兴趣区域之上被对准，由此，所述第一制造步骤在所述晶片上的所述感兴趣区域上形成对应的第一制造结构；
在所述第二位置中，所述第二制造图案在所述感兴趣区域之上被对准，由此，所述第二制造步骤在所述晶片上的所述感兴趣区域上形成对应的第二制造结构。
6.根据权利要求3和4或5中任一项所述的方法，包括：
在所述掩模的所述施加之前，在所述掩模中形成对准图案，并且在所述晶片上形成对应的对准图案；
其中所述对准包括：相对于所述晶片...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·杰普森·克罗格斯拉普，T·斯坦科维克，
申请(专利权)人：微软技术许可有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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