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本发明公开一种三维集成电路及其制造方法。所述三维集成电路包括第一晶片、第二晶片以及混合接合结构。第二晶片通过混合接合结构与第一晶片接合在一起。混合接合结构包括配置在混合接合介电层与混合接合金属层之间的阻挡层。...
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