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实施方式提供一种可使存储器柱体的上部与下部2个柱体间的连接变得良好的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具备：多个第1导电体层，在第1方向上积层；第2导电体层，设置在所述第1导电体层的上方；第1半导体层，在所述多个第1导电体层内在所述...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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