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本发明公开一种硅基三维扇出集成封装方法及其结构，属于集成电路晶圆级封装技术领域。在硅基正面制作TSV盲孔并在表面沉积无机钝化层；在TSV盲孔中制作铜柱并在表面制作第一n层再布线和金属焊垫；在硅基正面键合玻璃载板；通过刻蚀使TSV盲孔露出，在...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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