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本发明提供一种基于原位钝化及氧化工艺的GaN器件及其制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成外延结构，外延结构包括GaN沟道层，外延结构具有位于最上层的顶部功能层，在沉积腔室中于顶部功能层表面沉积外延补充层，外延补充层的材...
该专利属于浙江集迈科微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江集迈科微电子有限公司授权不得商用。

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