温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种干刻蚀方法及多晶硅薄膜晶体管，其中方法包括：提供衬底，在衬底上制备半导体层和光阻，对光阻进行曝光和显影；将衬底、半导体层和光阻放置在反应腔室中，向反应腔室中通入第一刻蚀气体，对半导体层进行第一次干法刻蚀；在反应腔室中通入氧气...
该专利属于TCL华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过TCL华星光电技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。