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本发明提供一种半导体器件结构的制作方法，包括如下步骤：提供衬底；形成隔离层；形成由下至上依次交替叠置的锗化硅牺牲层及外延沟道材料层；形成第一鳍形结构及第二鳍形结构；获得悬空的第一半导体沟道及第二半导体沟道；形成第一N型半导体沟道及第二N型半...
该专利属于芯恩(青岛)集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩(青岛)集成电路有限公司授权不得商用。

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