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本发明公开了一种降低高速开关对地寄生电容的制造方法，包括：S1、形成MOS开关管的N型埋层、深N阱和有源区以标准化N阱和P阱的注入和扩散；S2、淀积第一薄膜于深N阱外做为深沟槽的硬掩模，涂覆光刻胶于第一薄膜进行深沟槽图形光刻后，以形成深沟槽...
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