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本申请实施例公开一种半导体器件隔离环的制造方法，所述方法包括：提供第一半导体衬底，所述第一半导体衬底具有正面和背面；在所述正面上形成第一电路元件；从所述背面形成贯穿所述第一半导体衬底的导电通孔，所述导电通孔用于与所述第一电路元件导电互连；在...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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