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本发明提供一种半导体硅片表面清洗机构，至少依次具有预清洗单元和酸洗单元；其中，在所述预清洗单元和所述酸洗单元之间还依次具有预酸洗单元和碱洗单元，所述预酸洗单元靠近所述预清洗单元设置；所述预酸洗单元、所述碱洗单元和所述酸洗单元之后分别设有清洗...该专利属于天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司授权不得商用。