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本发明公开一种利用氮化硅隔离层生成双沟槽晶体管的工艺方法，包括以下步骤：S1、在硅片基板上蚀刻出第一沟槽；S2、将初加工晶体管置于氧化炉管中进行氧化操作，并在第一沟槽的内侧壁生成氧化硅保护层；S3、以化学气相沉积工艺，在第一沟槽的氮化硅薄膜...
该专利属于绍兴同芯成集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴同芯成集成电路有限公司授权不得商用。

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