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一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器及其制作方法技术
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文档序号:24993986
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本发明公开了一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F‑P磁场传感器,其特征在于包含单模光纤、毛细管和F‑P腔微结构;所述F‑P腔微结构与所述单模光纤的一端由3D打印直接打印连接,F‑P腔微结构的外围套设有毛细管,毛细管的两端密封形成密封腔...
该专利属于浙江大学;上海大学所有,仅供学习研究参考,未经过浙江大学;上海大学授权不得商用。
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