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本发明涉及一种MEMS传感器及其形成方法。所述形成方法中，在金属键合之前，在第一晶圆上形成了图案化的牺牲材料层以及连续覆盖在牺牲材料层和第一晶圆表面的功能层，此外还在功能层上表面的第一键合区域形成了挡墙主体部分，并在形成第一键合金属的过程中...
该专利属于中芯集成电路制造(绍兴)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯集成电路制造(绍兴)有限公司授权不得商用。

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