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本发明题为“形成半导体器件的方法”。在一个实施方案中,一种用于高侧驱动器的控制电路形成交替信号以控制存储模式和保持模式。该控制电路的实施方案存储大于输入电压的电压,这导致对于所述周期中的一个周期的至少一部分存储大量电荷。该电荷用对于所述周期...该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。
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本发明题为“形成半导体器件的方法”。在一个实施方案中,一种用于高侧驱动器的控制电路形成交替信号以控制存储模式和保持模式。该控制电路的实施方案存储大于输入电压的电压,这导致对于所述周期中的一个周期的至少一部分存储大量电荷。该电荷用对于所述周期...