【技术实现步骤摘要】
形成半导体器件的方法对现有临时申请的优先权要求本申请要求之前于2019年1月14日提交的专利技术名称为“形成半导体器件的方法(METHODOFFORMINGASEMICONDUCTORDEVICE)”的临时申请No.62/791,961的优先权，该临时申请案卷号为ONS03144L01US，并且具有共同专利技术人Ichikawa等人，据此将该文献以引用方式并入本文。相关申请的交叉引用本申请涉及案卷编号为ONS03155US的专利技术名称为“形成半导体器件的方法(METHODOFFORMINGASEMICONDUCTORDEVICE)”的申请，该申请具有共同转让人以及专利技术人Ichikawa等人，该申请与本申请同时提交，并据此将该申请以引用方式并入本文。
技术介绍
本专利技术整体涉及电子器件，并且更具体地讲，涉及半导体、半导体结构以及形成半导体器件的方法。过去，半导体工业利用各种电路和方法来控制按照H桥或半H桥配置进行配置的开关或晶体管。这些类型的配置一般被用到各种应用中，包括电源控制器、升压模式电源控制器、马达驱...
【技术保护点】
1.一种用于高侧驱动器的控制电路，包括：/n控制电路，所述控制电路被配置用于形成用以控制高侧晶体管的第一信号以及形成用以控制低侧晶体管的第二信号，以由高电压形成输出电压；/n用于接收所述高电压的第一输入；/n用于接收小于所述高电压的输入电压的第二输入；/n第一电容器；/n第二电容器；/n第一驱动器，所述第一驱动器被耦接来接收所述第一信号并且被配置用于响应于所述第一信号的生效状态来启用所述高侧晶体管；/n第二驱动器，所述第二驱动器被耦接来接收所述第二信号并且被配置用于响应于所述第二信号的生效状态来启用所述低侧晶体管；/n电压生成电路，所述电压生成电路被配置用于针对所述第二信号...
【技术特征摘要】
20190114 US 62/791,961;20191015 US 16/601,9571.一种用于高侧驱动器的控制电路，包括：
控制电路，所述控制电路被配置用于形成用以控制高侧晶体管的第一信号以及形成用以控制低侧晶体管的第二信号，以由高电压形成输出电压；
用于接收所述高电压的第一输入；
用于接收小于所述高电压的输入电压的第二输入；
第一电容器；
第二电容器；
第一驱动器，所述第一驱动器被耦接来接收所述第一信号并且被配置用于响应于所述第一信号的生效状态来启用所述高侧晶体管；
第二驱动器，所述第二驱动器被耦接来接收所述第二信号并且被配置用于响应于所述第二信号的生效状态来启用所述低侧晶体管；
电压生成电路，所述电压生成电路被配置用于针对所述第二信号的所述生效状态的至少一部分，形成多个存储周期，所述多个存储周期中的第一存储周期包括交替地对于所述第一存储周期的第一部分基本上将所述输入电压存储在所述第一电容器上以将第一电荷存储在所述第一电容器上，以及随后对于所述第一存储周期的第二部分使所述第一电容器与所述输入电压串联耦接以在所述第二电容器上形成第二电荷和第二电压；并且
所述电压生成电路被配置用于针对所述第一信号的所述生效状态的至少一部分，形成多个保持周期，所述多个保持周期中的第一保持周期包括对于所述第一保持周期的第一部分将所述第一电容器串联耦接在所述第二电容器和所述高电压之间，以及随后对于所述第一保持周期的第二部分基本上将所述输入电压存储在所述第一电容器上以将所述第一电荷存储在所述第一电容器上。
2.根据权利要求1所述的电压生成电路，其中，所述控制电路被配置用于：对于所述第一信号保持失效的间隔的至少一部分，响应于使所述第二信号生效而继续形成所述存储周期。
3.根据权利要求1所述的电压生成电路，其中，所述电压生成电路包括耦接至所述第一电容器的第一端子的第一晶体管，并且其中，所述控制电路启用所述第一晶体管，以使所述第一电容器串联耦接在所述输入电压和公共参考电压之间，以将所述第一电荷存储在所述第一电容器上。
4.根据权利要求3所述的电压生成电路，其中，所述电压生成电路包括第二晶体管，所述第二晶体管耦接至所述第一电容器的所述第一端子并且还被耦接来接收所述高电压，其中，对于所述第一保持周期的所述第一部分，所述控制电路启用所述第二晶体管以将所述第一电容器串联耦接在所述第二电容器和所述高电压之间。
5.一种形成用于高侧驱动器的控制电路的方法，包括：
配置所述控制电路来控制第一驱动器以操作第一开关以及控制第二驱动器以操作第二开关，来由第一电压形成输出电压；
配置所述控制电路来接收输入电压...
【专利技术属性】
技术研发人员：市川淳启，猪饲啓太，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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