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本发明公开了一种助熔剂法生长非极性/半极性氮化镓单晶的方法,包括:沿选定的解理面对氮化镓晶片进行解理,并将所获氮化镓晶片排列成阵列,获得解理面氮化镓单晶阵列;以所述解理面氮化镓单晶阵列作为籽晶,利用助熔剂法液相外延合并生长获得沿解理面的非极...该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种助熔剂法生长非极性/半极性氮化镓单晶的方法,包括:沿选定的解理面对氮化镓晶片进行解理,并将所获氮化镓晶片排列成阵列,获得解理面氮化镓单晶阵列;以所述解理面氮化镓单晶阵列作为籽晶,利用助熔剂法液相外延合并生长获得沿解理面的非极...