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提供了一种在衬底上形成逻辑器件和功率器件的方法。该方法包括在衬底的第一区域上形成第一垂直鳍并且在衬底的第二区域上形成第二垂直鳍，其中隔离区域将第一区域与第二区域分开，在第二区域的第二垂直鳍上形成电介质下层段，以及在电介质下层段和第二区域的第...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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