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涉及一种金属离子对复合物包覆的量子点及其制备方法。使用烷基复合物(X‑R)对量子点进行预处理，在量子点表面创造金属离子生长的位点，随后加入相应的金属盐，通过两相法进行金属离子对复合物的生长，反应一段时间后，得到金属离子对复合物包覆的量子点。...
该专利属于李良;李志春;孙桦所有，仅供学习研究参考，未经过李良;李志春;孙桦授权不得商用。

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