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本发明提供一种具有N型电子阻挡层的LED外延结构及其制备方法和LED器件，所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、非掺杂半导体层、复合N型半导体层、多量子阱层、和P型半导体层。所述复合N型半导体层沿外延生长方向依次包括第一N型半导体层、复合...
该专利属于聚灿光电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚灿光电科技股份有限公司授权不得商用。

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