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提供了一种在晶体硅双面太阳能电池的后侧(112)处产生掺杂层的方法，所述方法包括：至少使太阳能电池的硅基材(110)的后侧(114)纹理化以产生棱锥图案(120)，从而产生后侧的棱锥形拓扑结构；通过使用外延生长在棱锥上生长至少一个掺杂的硅外...
该专利属于IMEC非营利协会;鲁汶天主教大学所有，仅供学习研究参考，未经过IMEC非营利协会;鲁汶天主教大学授权不得商用。

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