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本发明涉及一种光电集成器件及其制备方法。该制备方法包括：选取衬底；在所述衬底上依次生长p掺杂Ge埋层、第一本征Ge层、本征GeSn层和第二本征Ge层、n掺杂Ge层、n掺杂Si层和保护层；刻蚀第一指定区域分别形成LED及探测器的负电极区域；刻...
该专利属于西安科锐盛创新科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安科锐盛创新科技有限公司授权不得商用。

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