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本发明提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，提供衬底，衬底上形成有堆叠层，堆叠层中形成有沟道孔，而后在沟道孔中沿侧壁依次层叠存储功能层、沟道层和填充层，在沟道层和填充层之间形成有氧化物层，和/或，填充层中富含有杂质原子，这样，在沟道层...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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