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本发明提供一种半导体器件结构及其制作方法，半导体器件结构包括：衬底；第一晶体管，悬空于衬底之上；第二晶体管，悬空于衬底之上，且与第一晶体管具有间距；第一字线，位于第一栅极外围，且与第一栅极接触连接；第二字线，位于第二栅极外围，且与第二栅极接...
该专利属于芯恩(青岛)集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩(青岛)集成电路有限公司授权不得商用。

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